揭秘第三代半导体哪些企业有望弯道超车(新闻)

揭秘第三代半导体：哪些企业有望弯道超车

英飞凌、ST等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等海内功率厂商都重点布局在该范畴的研究。为了成长功率半导体，华为也开启了对第三代半导体质料的布局。华为旗下的哈勃科技投资有限公司在2019年8月份投资了山东天岳先进质料科技有限公司，持股10%，而山东天岳是我国第三代半导体质料碳化硅龙头企业。

根据Omdia的数据，到2020年末，SiC MOSFET预计将发生约3.2亿美元的收入，与肖特基二极管的收入相当。从2021年起，SiC MOSFET将以稍快的速度增长，成为最畅销的分立碳化硅功率器件。得益于混淆动力和电动汽车，电源和光伏逆变器需求的增长，预计到2021年，SiC和GaN Power的收入将超过10亿美元。

相敷衍传统的硅质料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4~5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍，因此，碳化硅出格适合于制造耐高温、耐高压、耐大年夜电流的高频大年夜功率的器件。

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